伴随着碳中和、碳达峰、新能源汽车、5G和AI等新技术的发展浪潮,功率半导体作为这些前沿应用中实现电能转换的核心基础元器件,其需求量与日俱增。这一趋势不仅为全球功率半导体企业带来了新的发展契机,更让国内半导体企业搭乘上了国产替代的时代快车。在这场国产化浪潮中,长晶科技以其卓越的表现脱颖而出,成为中国半导体企业突围的一个成功案例。
长晶科技的发展历程,是中国半导体企业崛起之路的缩影。2018年成立之初,公司仅拥有30余名骨干成员,定位也仅停留在设计型企业。然而,凭借“研发引领+供应链协同”的双轮驱动战略,长晶科技迅速构建了从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链条。
起初,长晶科技采用Fabless模式,即无晶圆厂模式,专注于芯片设计。在发展过程中,公司不断完善产业链布局。2020年10月,长晶科技收购海德半导体,同年11月投资成立长晶浦联,组建自主封装测试产线。2022年3月,公司又收购新顺微,整合5寸、6寸晶圆制造平台,成功补齐了分立器件晶圆制造环节。
经过内生发展和外延并购的双重努力,长晶科技现已发展成为一家Fabless与IDM模式并行的综合型半导体企业。在分立器件端,公司形成了完备的5寸、6寸产品制造能力,实现了从Fabless向IDM模式的华丽蜕变,为产品品质和成本控制奠定了坚实基础。同时,在IGBT、电源管理IC等新产品领域,长晶科技继续采用Fabless模式,以保持更加灵活的快速发展态势。
长晶科技凭借自身过硬的技术创新能力,在半导体领域取得了显著成果。其SBD、FRD、TVS、ESD、Zener等二极管产品,性能已达到国际主流水准。三极管产品工艺技术成熟、质量可靠,具有高性价比,广泛应用于消费电子、工业电子和汽车电子等领域,市场规模及占有率领先。在MOSFET产品领域,长晶科技涵盖Trench MOSFET、SGT MOSFET、SJ MOSFET和VDMOS等各类结构,其自主研发的CSP MOSFET产品,经江苏省工业和信息化厅鉴定,总体处于国内领先、国际先进水平,并与SGT MOSEFET产品共同被南京市工信局认定为“南京市创新产品”。
在打造出众多王牌产品的同时,长晶科技还积极布局IGBT、第三代半导体产品领域,已形成了从600V到1200V的完整产品线。其中,长晶科技自主研发的FST3.0 IGBT系列产品,更是将IGBT技术推向了新的高度,并以其高开关速度、低导通损耗等卓越性能,显著提升了新能源电动汽车的能源转换效率和续航能力。
市场布局上,长晶科技扎根国内市场,放眼世界舞台。目前已在深圳、上海、北京等地设立分支机构,形成了覆盖全国的销售网络。在国际市场,长晶科技辐射东南亚,并逐步向欧美拓展,不断提升品牌国际影响力。如今已与众多Tier 1、Tier 2整车厂及全球知名企业建立长期稳定的合作关系。产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、光伏储能等多个领域。在国内市场占据领先地位的同时,公司还通过参加国际展会、技术研讨会等方式提升品牌知名度,逐步打开国际市场大门,成为全球半导体产业中不可忽视的重要力量。
产业协同是长晶科技生态战略的另一重要环节。为了更好地达成产业链上下游协同合作,公司积极参与行业标准制定,与诸多科研机构建立联合实验室,与下游整机企业开展深度合作。长晶科技这种产学研用紧密结合的创新体系,加速了技术成果的转化和应用,为长晶科技的持续发展提供了强大动力。
如今,长晶科技持续突破核心器件技术壁垒,加速完成功率半导体国产替代,奋力构建自主可控产业生态,有效提升了国产功率半导体的核心竞争力并夯实了供应链安全,为战略新兴产业的蓬勃发展提供了坚实的“中国芯”支撑。