台积电近期宣布在美国追加1000亿美元投资，大幅扩充其在美国的芯片制造产能。这笔新增投资到位后，台积电在亚利桑那州的累计规划投资规模将达到2650亿美元。受此影响，台积电全年资本支出指引也同步上调至600亿至640亿美元区间。

随后，台积电首席财务官黄仁昭在接受美国媒体采访时透露，下游客户正释放出长达数年的持续性需求浪潮，台积电正全力加快亚利桑那州工厂的产能建设步伐。黄仁昭表示，此次追加投资的决策主要基于美国市场客户订单的旺盛需求，同时也获得了美国政府层面的强力政策支持。

黄仁昭进一步介绍，为应对持续攀升的订单压力，台积电正在加速优化先进制程的产能配置。其中一项核心举措，是将现有5纳米生产线快速转换为更先进的3纳米工艺，以确保客户供货的稳定性。

谈及美国建厂项目的进展，黄仁昭披露，亚利桑那州晶圆厂一期工程采用4纳米工艺，目前该工厂已投入生产运营。他指出：“未来几个季度，这座工厂的产能将进入持续爬坡阶段，规模稳步扩大。”此外，2纳米工艺已在第二季度实现初步营收贡献，进入第三季度后，将成为台积电新的关键增长引擎。

关于成本结构，黄仁昭坦承，美国晶圆厂的建造成本约为中国台湾本土工厂的4至5倍。但他同时强调，尽管海外业务扩张在短期内会对利润产生一定的稀释效应，但从长期来看，本轮扩建将有助于完善美国本土半导体产业链的整体生态。对于新增的1000亿美元投资的具体投向，黄仁昭表示，这笔资金将同时用于前端晶圆制造工厂和后端先进封装工厂的建设.