据多家媒体报道，国内两大存储厂商长鑫存储与长江存储近期几乎同时启动新一轮扩产计划。

扩产最直接的原因就是市场需求上涨。随着服务器、个人电脑、汽车电子以及各类智能终端的出货量回升，国内厂商对 DRAM 与 NAND 的采购需求持续增长。

长鑫存储正在上海建设新的工程，规划的产能是目前合肥总基地产能的2-3倍。主要是生产服务器、个人电脑、车用与其他电子产品需要的DRAM。

预计今年下半年开始安装各种设备，2027年正式量产。同时还会在上海扩充HBM产能。

目前长鑫存储合肥与北京的工厂基本是满载运行。

图源：经济日报

长江存储也计划在现有的基础上新建第三座晶圆厂，新建的晶圆厂除了既有的NAND产品外，还会有50%的产能转化为DRAM，并与封装测试厂商合作推进 HBM 产品制造，新晶圆厂预计于 2027 年投产。

此外，据《朝鲜日报》报道，长江存储武汉三厂已于2025年9月正式动工。

该项目原本预计在2027年量产，但由于近期大规模采购 NAND Flash 设备，并同步推进巨型洁净厂房建设、产线安装与调试，量产时间有望提前至 2026 年下半年。

2025年长江存储在全球NAND产能中的份额约为 7%-8%，如果三期扩产按计划完成，长江存储2026年的市场份额有望超过10%。并且很有可能超越美光，跻身全球第4大存储芯片制造商。

图源：trendforce

值得注意的是，长江存储此次扩产正处于 NAND Flash 新一轮周期阶段。与 DRAM相比，NAND市场的竞争更为激烈。

除长江存储外，市场上还包括韩国的三星电子、SK海力士、美国的美光以及日本的铠侠等主要厂商。

虽然人工智能、数据中心和高性能计算的发展正在持续推高 NAND 与 DRAM 的整体需求，但在供给端同样面临多方竞争。

更快的扩产节奏与更稳定的交付能力才能更快的抢占市场空间。