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长鑫科技:融资295亿,220亿用来买设备

更新时间:2026-07-14 作者:小编 点击:

7月16日,长鑫科技就要在科创板申购了。这单IPO拟募295亿元,是仅次于中芯国际532亿的科创板第二大。翻到招股书里一个不起眼的数字,它比市值更值得看:设备购置及安装费220.66亿元,占募资近75%。发行66.88亿股,占发行后总股本10%,中金和中信建投联席保荐。

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这220亿不是长鑫自己买机器放着看。它会顺着产线,变成北方华创、中微这些刻蚀设备商的订单,变成安集、鼎龙这些材料商的货款。长鑫上市,买的不只是股票,是中国存储上游一张体检单。

这张单子先看产能和份额。长鑫现在合肥加北京三座12英寸厂,月产能约28万到30万片,上海基地还在建,2027年才投产,不能算进当下。按Omdia 2025年四季度口径,长鑫全球DRAM销售额份额7.67%,全球第四、中国第一。2025年二季度它还只有3.97%,半年多翻了一倍多,这种爬坡速度在存储圈不多见。技术节点上,19纳米已经量产,DDR4、DDR5、LPDDR5X都覆盖,比国际大厂落后约一年半到两年,靠跳代研发在追。


份额涨的背后是财务拐点。2023年营收90.87亿,亏163亿;2024年营收241.78亿,还亏71亿;2025年营收617.99亿,归母终于转正,赚了18.75亿,毛利率41.02%。从一年亏百亿到扭亏为盈,靠的是产线跑通、良率上去、赶上了这轮存储涨价,而营收三年翻几倍,也意味着上游订单被实打实地带着走。

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顺着一颗DDR5颗粒往上游拆,最先碰到的是前道设备。刻蚀环节最成熟,中微和北方华创已经批量进线,北方华创的刻蚀机在长鑫产线市占率已超50%;薄膜沉积有拓荆的PECVD;CMP抛光设备华海清科是国产唯一供给,长鑫产线配套率超90%;清洗设备盛美上海全产线批量供货;离子注入凯世通也已导入。真正的短板在光刻,上海微电子的存储光刻机还在验证爬坡,EUV百分之百进口。往前看,长鑫2023到2025年资本开支分别在437亿、712亿、497亿上下(据券商估算),设备投资占七成,这就是上游订单的蓄水池。

再往上是材料。招股书给了真实的采购结构:2025年长鑫原材料采购114.7亿元,化学品占37.29%,光阻剂占12.16%,硅片占8.55%,电子特气占5.10%,靶材占2.21%。抛光液安集是主供,抛光垫鼎龙拿下大头,前驱体雅克深度绑定。把占比换算成钱,光阻剂那12.16%就是13.95亿元,硅片8.55%是9.81亿元,上游每一层都是十亿级的生意。但ArF光刻胶整体国产化率仍不足5%,南大光电刚通过验证、小批量爬坡,高端硅片还部分依赖信越和SUMCO。

最末端是封测和HBM。长鑫没有自建封测厂,订单全外发,深科技旗下的沛顿是它第一大外协封测方,承接了一半到七成的封测订单,长电科技提供先进封装支撑。长鑫计划把约两成DRAM产能转向HBM。HBM3样件已经送给国产AI芯片厂验证,综合良率据SemiAnalysis估算约25%,不是官方数据,差距主要在TSV刻蚀、微凸点对齐和封装工艺,整体落后国际约两到三年。

把这几层拼起来看格局。三星、海力士、美光三家垄断全球九成以上份额,长鑫7.67%算是撕开一道口子。有意思的是,三大厂把七成以上先进产能转向HBM和高端DDR5,反而造成通用DRAM结构性短缺,DDR5 16G现货从2025年5月到2026年5月涨了627%。高盛测算2026年DRAM供需缺口达4.9%、为15年来最高,市场机构看到的缺口更在7%以上。长鑫无自建封测、订单全外发的模式,反倒利好本土封测链。上海在建的超级工厂规划月产40万到60万片,总投资超345亿,2027年投产,其中约5万片专门留给HBM。

长鑫上市募来的钱,一半会变成上游设备商和材料商的订单。DRAM的护城河不在设计,在良率,和那条还半生不熟的国产供应链。设备层已经跑通,材料层分化明显,封测和HBM是下一个要啃的硬骨头。

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